全球最大半导体设备龙头ASML已着手研发下一代先进微影设备，为未来十年的芯片产业做准备。该公司技术执行副总裁Jos Benschop向日经指出，这项技术足够先进，可满足2035年之后的制程需求。

Jos Benschop表示，ASML及独家光学合作伙伴蔡司（Carl Zeiss）正在研究可在单次曝光中印刷出分辨率精细到5纳米电路的机器设计，并补充这项技术将足以满足2035年及之后的产业需求。

ASML最近才开始出货业界最先进设备，已可达到单次曝光8纳米分辨率。相较之下，较旧设备须多次曝光才能达到类似分辨率，不仅效率较低，制造品质也不一定。

Benschop指出，“我们正与蔡司进行设计研究，目标是实现数值孔径（NA）0.7或以上的系统，目前尚未设置具体上市时间表”。

数值孔径（NA）是衡量光学系统收集与聚焦光线能力的关键指标，也是决定电路图样能否精细投影到芯片上的关键因素。当NA越大、光波长越短，印刷分辨率就越高。

目前标准EUV设备的NA为0.33，最新一代High NA EUV则提升至0.55。而ASML正朝向NA 0.7或“超高NA（Hyper NA）”迈进，需要重新设计几个关键系统。

ASML目前已向英特尔、台积电交付首批High NA EUV设备，不过Benschop表示，大规模采用仍需时间，产业界必须先验证新系统的性能，并开发配套材料与工具，才能全面启动，“这次新设备的导入与历年来推出的创新工具情况类似，通常要几年后才会进入大量产出阶段。客户需要学习如何操作，但我相信它很快会被用于高产能的芯片制造流程中”。

（首图来源：ASML）