根据TrendForce最新内存产业分析报告,受益于位元需求增长、供需结构改善拉升价格,加上HBM等高附加价值产品崛起,预估DRAM及NAND Flash产业2024年营收年增幅度将分别增加75%和77%。而2025年产业营收将持续维持增长,DRAM年增约51%、NAND Flash年增则达到29%,将创历史新高,并且推动资本支出回温、带动上游原料需求,惟内存买方成本压力将随之上升。
HBM兴起推升DRAM营收TrendForce估计,预估受益于DRAM均价在2024年增加53%、2025年增加35%的条件下,进一步推升2024年DRAM营收达907亿美元、年增75%,2025年达1,365亿美元、年增51%。
TrendForce表示,4项驱动DRAM营收的因素包括HBM崛起、一般型DRAM产品时代演进、原厂资本支出限缩供给和Server需求复苏。相较一般型DRAM,HBM除拉升位元需求,也拉高产业平均价格。预估2024年HBM将贡献DRAM位元出货量5%、营收20%。
此外,DDR5和LPDDR5/5X等高附加价值产品的渗透同样有助提高平均价格。TrendForce估计,DDR5将分别贡献2024、2025年server DRAM位元出货量40%、60-65%,LPDDR5/5X会贡献2024、2025年mobile DRAM位元出货量50%和60%。
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TrendForce估计,2024年NAND Flash营收将达662亿美元、年增77%;2025年在大容量QLC Enterprise SSD崛起、smartphone采用QLC UFS、原厂资本支出限缩供给和server需求复苏等4项因素带动下,NAND Flash营收将达786亿美元、年增29%。北美CSPs已开始在inference AI server大量采用QLC enterprise SSD,尤其是大容量规格。TrendForce预估,QLC将贡献2024年NAND Flash位元出货量20%,此比重2025年将再提升。在smartphone应用,QLC预计逐步渗透UFS市场,部分中国smartphone企业预计于2024年第四季起采用QLC UFS方案,Apple则预计2026年开始导入至iPhone。
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TrendForce表示,内存产业营收创纪录下,原厂将有足够现金流加速投资。预估2025年DRAM、NAND Flash产业资本支出分别年增25%、10%,且有机会上修。此外,内存生产规模提升将带动对硅芯片、化学品等上游原料需求,但相反的,内存价格上涨将增加电子产品成本,ODM/OEM企业较难完全将成本反映在零售价上,利润势必将被压缩,终端销量也可能受到压抑,导致需求下滑。
(首图来源:shutterstock)