结合DRAM、NAND优点的新型内存“UltraRAM”已经大幅推进其商业化进程。综合外媒报道，UltraRAM的开发公司Quinas Technology过去一年持续与先进芯片产品制造商IQE合作，致力将UltraRAM内存的制程推进到工业化规模。
外媒Blocks & Files、Tom's Hardware报道指出，这项合作已经成功，而UltraRAM被视为结合DRAM与NAND优点的新型内存，具备DRAM般的高速运行、耐用度比NAND高4,000倍、低于1飞焦耳的超低切换能耗，及数据保存能力长达千年，如今正迈矢量产。
报道指出，该设计之所以大幅进展，主要是因为采用锑化镓（gallium antimonide）与锑化铝（Aluminium antimonide）的磊晶技术获得突破，而且为全球首创，将帮助UltraRAM真正进入量产。
据悉，UltraRAM相当依赖磊晶技术，后续才会经过曝光与蚀刻等半导体制程，来构建内存芯片结构。
IQE首席执行官Jutta Meier指出，“我们已经成功完成目标，为UltraRAM开发出可扩展的磊晶制程，这是迈向封装芯片工业化生产的重要里程碑。这个项目代表了一个独特机会，将下一代复合半导体材料在英国实现”。
Quinas首席执行官兼共同创办人James Ashforth-Pook也表示，这次合作的成果是从大学研究迈向商业内存产品之旅的转折点。据悉，在接下来的商业化路径中，Quinas与IQE计划与各大芯片厂与合作伙伴探讨试产的可能性。
（首图来源：Quinas Technology）
