半导体制程竞赛进入白热化阶段！Intel（英特尔）近日宣布，已在美国俄勒冈州的Fab D1X研发中心完成ASML最新曝光系统TWINSCAN EXE:5200B的安装 。这不仅是全球首套、也是目前最先进的“第二代”高数值孔径（High-NA）EUV曝光机，更被视为Intel 14A制程（相当于1.4纳米）能否如期量产的关键神兵利器 。

Intel早在2023年底就抢先同业接收了首套第一代High-NA EUV机型EXE:5000，并在俄勒冈州工厂完成早期技术研发与人才储备 。相比之下，这次落地的EXE:5200B则在生产力与精度上实现了质的飞跃，更具备大规模生产的特征 。

这套新系统的关键数据非常惊人：

产能大升级：在标准条件下，每小时可处理175片芯片 。

挑战极限：Intel计划通过进一步调整，将产出率推高至每小时200片芯片以上。

精度突破：凭借过去一年多的使用体验，新系统的套叠精度（Overlay Accuracy）已达到0.7nm。

Intel指出，High-NA EUV曝光设备是其芯片代工蓝图中的核心竞争力 。通过结合自身在光罩、蚀刻、分辨率增强及检测计量等领域的技术优势，能完成当今芯片所需的更精细晶体管细节 。

虽然High-NA EUV机台造价昂贵（单台成本预估超过3亿美元），但Intel抢先与ASML合作证实了该设备的技术可行性，为未来大规模制造（HVM）奠定了稳固基础 。这项举动显然是为了在1.4纳米时代重新夺回制程领先者的地位。