
半导体设备龙头艾司摩尔(ASML)帮助芯片代工厂实现先进制程技术,而它的每一代设备,都意味着每一代技术的前沿时刻。ASML历代最经典的几款设备,带读者回顾芯片微缩的每一个关键时刻。
微影机台的长青树:PAS 5500要提到最经典的设备,莫过于1991年推出的步进式(Stepper)扫描系统PAS 5500,至今已34年仍在芯片厂服役中。
除了是公司历史上寿命最长、最具功能性的微影平台之一,它更是ASML在市场中奋起直追的关键。事实上,在这台设备问世之前,ASML在光微影市场中位居第三名,远远落后当时的两大巨头Nikon与Canon。但推出后大获成功,并迅速跃升成第二名,而且也为后续成为全球光微影技术龙头奠定基础。

PAS 5500平台的早期广告。(Source:ASML)
至于为什么叫“PAS”?其实这是来自飞利浦研究员于1970年代开创的一系列设备,而PAS 5500的全名“the Philips Automatic Stepper”(PAS)主要纪念这部机台的来源,也代表ASML与飞利浦长期的合作关系。
ASML也介绍,历经的三十多年,每一台PAS系统都有自己独特的故事,而且随着不同半导体产业跨越不同时代。例如2021年时,当时已服役25年的PAS 5500/275系统,在从事内存与射频(RF)模块生产后,再度翻新和售出,转为虚拟现实(VR)的前线生产。
ASML指出,虽然PAS 5500已经从最先进制程中退休,但因为具有成本低、体积小、简单及稳定性,在二手市场仍有极大的优势,公司也已经翻新并转售超过500台PAS 5500系统。同时,为了持续支持使用这部机台的客户,ASML也表示该产品的生命周期成功延长到2035年。
全球首台、至今唯一“双芯片平台”曝光设备:TWINSCAN接着到2001年,ASML推出TWINSCAN设备,这具有突破性的“双芯片平台”技术,能同时移动两片芯片,交替执行微影和测量功能。
TWINSCAN的出现,帮助了客户在生产流程上实现巨大飞跃。ASML曝光扫描位置测量系统专家Bert van der Pasch回忆道,“TWINSCAN的新技术有限,但真正具革命性的是两个平台的交换。许多部分都是正常升级,但芯片交换平台的设计完全不同,我们必须让它运行起来”。

ASML曝光扫描位置测量系统专家Bert van der Pasch。(Source:ASML)
TWINSCAN是全球首台、至今仍是唯一一台拥有双芯片载台模块的曝光系统平台。以现在视角来说,芯片会交替加载两个平台模块,右边的芯片可曝光于极紫外光(EUV)下,将电路设计图形象(Pattern)刻在芯片上,左边的芯片同时由机台的测量仪器优化其准确度(Alignment),两个平台交替执行微影和测量功能,将设备的生产力及良率最大化。
2001年推出的TWINSCAN设备型号为TWINSCAN AT:750T,是一款KrF曝光系统,光源波长248纳米,主要针对130纳米制程设计。之后到了2003年,ASML推出TWINSCAN AT:1150i这款设备,成为第一台使用浸润式微影(Immersion Lithography)的曝光机;到2006年,更新的TWINSCAN XT:1700i设备成为第一台进入量产的浸润式微影设备,颠覆传统制程受限深紫外光(DUV)波长的限制。

ASML工程师团队庆祝TWINSCAN XT:1700i问世。(Source:ASML)
TWINSCAN平台再升级,成为速度之最:TWINSCAN NXT当进入2000年后,芯片制造商发现使用浸润式ArF系统的曝光分辨率的极限,因此ASML开始研发新的EUV光源。同时,业界也同步探索“双重曝光”(double patterning)和“多重曝光”(multiple patterning)的方法。
不过,双重曝光意味需要两倍的曝光步骤,且须让两层图样极精准地对位,如果要让这项技术在成本与生产上可行,就必须提升曝光系统的速度与精度。因此这也促使TWINSCAN下一次重大升级,即TWINSCAN NXT平台。
TWINSCAN NXT平台采用全新设计、重量更轻的芯片载台,大幅提高速度与性能。Bert也表示,“我们在研发NXT的同时,也同步开发下一代使用全新EUV光源的系统。”

ASML出货首批TWINSCAN系统之一。(Source:ASML)
首款NXT系统名为TWINSCAN NXT:1950i,于2008年正式推出,帮助生产效率提升30%,达到每小时超过200片芯片的处理能力,同时将叠合精度(Overlay)提升至2.5纳米(nm)。
传统TWINSCAN载台是采用气压悬浮技术,让载台悬挂在平坦的背板上运行,因此载台能在无摩擦的情况下悬浮并于曝光扫描期间独立移动;升级的TWINSCAN NXT系统则改采磁力悬浮方式支撑载台。
根据ASML最新的分享,如今的TWINSCAN NXT是以电磁的方式同时移动两片芯片,在无摩擦力的作用下能加速到7G,即0到100km/h只需约0.4秒,让芯片量产时兼顾准确性及生产速度。
随后ASML决定将NXT平台扩展到“干式微影”(dry technologies),并于2020年推出首台干式曝光系统TWINSCAN NXT:1470,成为全球首台能每小时处理超过300片芯片的曝光机。
ASML最大的护城河:EUV根据官网分享,要将EUV技术推向大规模量产,ASML就耗费超过40年、投入好几十亿美元的研发资金,并执行一次关键收购,即购买了光源技术公司Cymer。
ASML表示,在好几十年的研发过程中,终于有了“初光”的成果。2006年,ASML推出第一台EUV alpha试验机,当时曝光一片芯片需要23小时,对研究机构如IMEC是突破,但对量产却几乎不可能;到2008年,ASML制作出全球第一批全场EUV测试芯片,隔年在荷兰总部激活将EUV开发及量产的工做空间。

ASML其中一台EUV原型系统,也称“alpha试验机”。(Source:ASML)
到了2010年,首台TWINSCAN NXE:3100(EUV预量产系统)运送到韩国三星研发中心,并在平安夜中完成首次激活。
ASML技术执行副总Jos Benschop回忆道,“我们从1997年就开始着手这个项目。忽然间,到了2010年,你飞到韩国、坐长时间的出租车,换好衣服、走进芯片厂、转个弯,那台机器就摆在眼前。那一刻非常棒。当初的梦想,终于在客户的工厂里成真”。
到2012年,ASML主要客户台积电、三星和英特尔都同意在五年期间参与EUV研发,作为客户共投资计划(Customer Co-Investment Program) 的一部分,以此换取公司股份,随后于2013年出货首台EUV量产系统TWINSCAN NXE:3300,象征这项新技术的研发又迈进了一大步。
回顾整个过程,Jos笑道:“这比我想象中耗时更久,也更辛苦。你可以说我们要么很聪明,要么就是非常固执”。

ASML庆祝2010年首台EUV曝光机出货。(Source:ASML)
埃米时代下High-NA EUV很关键:TWINSCAN EXE随着芯片不断微缩,ASML已经将EUV曝光机的数值孔径(NA) 从0.33提升至0.55。Jos表示,由于这枚新型透镜与以往截然不同,必须提出全新的制造与测量方法。目前首批High-NA EUV曝光机TWINSCANEXE:5000已经于2023年底出货给客户,预期将于2025年投入高量产制程。
事实上,在EUV技术研发的所有阶段,最关键的便是跨国合作,目前ASML成功创建并动员了一个全球生态系统,将许多人认为不可能的技术实现产业化,如今也会将这项技术推矢量产。
(首图来源:ASML)











