半导体科技一直是科技发展的引擎之一，二维材料与宽能隙材料的出现，为半导体技术打开崭新的大门，不仅具有独特的物理特性，更有望为未来电子、光电等领域带来革命性的变革。
为了应对这一个趋势，闳康科技推出前瞻性技术讲座MAFT（Materials Analysis Future Tech），通过邀请具有丰富学术背景的教授，分享先进科技的最新发展，致力于提供更深入的分析技术知识，加强相关领域人士在实际产业中能够发挥其应用价值！
宽能隙半导体磊晶的缺陷分析
由国立中山大学张六文教授主讲，探讨宽能隙半导体磊晶在制作高频或高功率组件方面的主要应用。由于磊晶中的缺陷会严重影响组件的性能，因此如何快速和精准的分析缺陷的种类、形态与分布，对于组件制程与品管都非常重要。磊晶缺陷的分析，除了已经广泛使用的高解析X光绕射，和穿透式电子显微镜技术之外，近年来以扫描式电显微镜为基础的两项技术：电子隧道对比形象（Electron Channeling Contrast Imaging, ECCI）和电子背向散射绕射（Electron Backscatter Diffraction, EBSD），也逐渐应用于磊晶缺陷的分析，因此将着重于介绍这两个技术的原理，在宽能隙半导体磊晶缺陷分析的应用，以及与其他技术的比较。
大面积二维MoTe2晶体管特性改善研究
国立成功大学李文熙教授在本次演讲中，将介绍其团队在二维MoTe2晶体管特性改善方面的研究成果。其团队提出了一种新的欧姆接触改善方法，该方法可以有效降低二维MoTe2晶体管的接触电阻。其研究成果有望推动二维MoTe2晶体管器件的发展，为下一代半导体器件的研制提供新的思路。
以离子布植研制增长于蓝宝石基板之N型β-Ga2O3磊晶膜及其组件特性之研究
国立阳明交通大学洪瑞华教授致力于研究第四代宽能隙氧化物半导体——β-Ga2O3，将为电动汽车、5G、6G通信等领域带来革命性的变革！第四代宽能隙氧化物拥有高达4.8电子伏特的能隙，相较于碳化硅 (SiC) 以及氮化镓 (GaN) ，其优势明显，能够有效提升组件的崩溃电压，并降低导通电阻，从而提高转换效率。使用离子布植技术在特定区域进行掺杂，将Si植入β-Ga2O3薄膜中，相较于在磊晶时加入掺杂之做法，可使β-Ga2O3功率组件的制作更加简单、更具有制程弹性、并且成本更低廉。此使得β-Ga2O3有机会成为下一代高功率组件的理想选择。
有研究预测，在未来十年内，β-Ga2O3极有可能全面取代SiC及GaN在应用市场上的地位。
三六族半导体的应用、制备与特性分析
国立阳明交通大学周武清教授的演说，针对三六族半导体涵盖氧化镓、硒化镓、碲化镓、硒化铟等，其能隙范围覆盖广泛与光电特性特殊及优越，因此众所瞩目。本演讲主要介绍以分子束磊晶技术制备氧化镓及以光谱技术分析其光电特性。另外，也探讨分子束磊晶技术制备硒化镓、碲化镓、硒化铟等三六族二维半导体，并分析其特殊的物理性质与各式的组件运用。以分子束磊晶技术制备三六族半导体的优势在于其可以即时用反射式高能量电子绕射监控磊晶过程，而且以扫描式及穿透式电子显微技术分析样品表面形貌与内部晶体结构可以确保将磊晶品质优化。最后，再制作与测量场效晶体管与光侦测器以阐述其在组件上的运用潜力。
（首图来源：Shutterstock；数据源：闳康科技）
