AI运算对内存带宽的需求永无止境，也让“定制化HBM”成为半导体厂的兵家必争之地。台积电近日在荷兰阿姆斯特丹举办的2025年OIP（开放创新平台）生态系统论坛中，首度对外披露了关于首代定制化HBM内存的技术蓝图与看法。
根据德国科技媒体Hardwareluxx编辑Andreas Schilling在社交媒体平台上分享的资讯，台积电的观点与美光（Micron）首席商务官Sumit Sadana不谋而合，双方皆认为定制化HBM技术将在HBM4E时代正式落地并普及，台积电更将此类产品定名为“C-HBM4E”。
在目前的HBM4时代规划中，台积电为HBM基础裸晶（Base Die）提供了两种不同的制程选项：分别是针对主流市场需求的N12FFC+ 制程，以及专为追求极致性能客户设计的N5制程。
然而，到了更先进的C-HBM4E阶段，为了满足将内存控制器（Memory Controller）直接集成进基础裸晶的需求，同时进一步节省运算芯片的面积，台积电宣布将采用N3P先进制程来打造解决方案。
根据台积电官方说法，采用N3P制程的C-HBM4E基础裸晶，其能源效率将大幅提升，预计可达HBM3E基础裸晶的两倍左右。此外，在功耗控制上也有显著进步，C-HBM4E的Vdd电压将仅有0.75V，比HBM4的电压更低，展现出更优异的省电特性。
