日本NAND Flash大厂铠侠（Kioxia）将研发AI用省电内存，目标2030年代前半商业化，而日本政府最高将补助50%费用。

日经新闻报道，铠侠6日宣布，将研发AI用次世代内存。铠侠将在今后3年内、投下360亿日元进行研发，而日本经济产业省最高将补助50%费用（最高补助180亿日元），目标在2030年代前半（2030-2034年）实现商业化。

铠侠指出，将研发近年问世的CXL（Compute Express Link）界面用内存，和DRAM相比更省电，和NAND Flash相比、读取速度更快。相较于DRAM在电力中断时、数据就会消失，CXL内存即便在断电时、也能保留大量数据，能降低AI驱动时的耗电量。

（Source：铠侠）

据报道，铠侠为全球第3大NAND Flash厂，不过不像竞争对手三星、SK海力士（SK Hynix）那样，铠侠没有生产近来受益AI商机、提振需求急增的DRAM产品，因此铠侠目的借由研发次世代内存、改变“仅有NAND”的业务结构。

（首图来源：科技新报）