根据韩媒和爆料者 @Jukanlosreve报道，NVIDIA委托三星、SK海力士和美光开发SOCAMM内存模块，出乎意料的是美光竟是第一家获得量产批准的公司，速度比老大哥三星、SK海力士快。这个消息也让韩媒相当惊恐，直接在标题下““老三上演大反扑”引起恐慌”。

SOCAMM是由NVIDIA构思的内存模块，由16个堆栈成四组的LPDDR5X芯片组成。虽然HBM是AI GPU的DRAM，但SOCAMM是一种连接到中央处理器（CPU）的DRAM。尽管SOCAMM连接到掌控整个系统的CPU，但其主要作用是辅助支持，确保AI加速器达到峰值性能，而SOCAMM预期将纳入NVIDIA明年发布的下一代AI加速器“Rubin”中。

与HBM通过垂直钻孔的方式连接DRAM不同，SOCAMM采用“打线接合”（wire bonding）的方式制造，以铜线连接16颗芯片。由于铜的热传导性高，能将每颗DRAM芯片的发热量降至最低。美光曾宣称其最新低功耗DRAM的电源效率比竞争对手高20%。

NVIDIA的下一代AI服务器将配备四个SOCAMM模块。以LPDDR5X芯片数量计算，相当于256颗芯片。业界认为，美光较晚采用极紫外光（EUV）曝光设备，反而成为能早于三星与SK海力士供货的原因。这意味着，美光不像竞争对手轻易以EUV提升DRAM性能，而是通过设计结构的创新，在提升内存性能的同时，确保低热量产生。

美光扭转HBM老三命运

业界正关注SOCAMM技术的扩展性，而且极可能应用于NVIDIA目前正开发的个人超级计算机“Digits”。若个人超级计算机普及，该产品需求将会大幅增长。

不只是SOCAMM，美光在多项技术升级都显示技术实力提升。据传，在今年三星的Galaxy S25系列中，美光供应大部分初期的低功耗DRAM，超越三星自家半导体产品，也是美光首次成为三星智能手机的“主要内存供应商”。此外，美光早在2022年就率先开发出全球首款LPDDR5X，并将其导入iPhone 15系列。

业界预期，美光将借由其低热量产生的技术，进一步扩大其HBM市场占有率，因为堆栈的DRAM芯片数持续增加，而堆栈本身就会带来热的问题。目前三大内存厂商预计下半年开始量产12层堆栈HBM4、明年上半年推出16层堆栈HBM4。

一家设备厂企业透露，虽然美光进入HBM市场较晚，但凭借其散热管理技术，以及作为美国企业的地缘优势，随时都可能迎头赶上。该公司目前在新加坡、广岛、纽约，以及台中建设HBM厂，使得公司今年资本支出高达140亿美元，这也令业界猜测是否已经从主要客户取得稳定订单。

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（首图来源：美光）