2025年第一季内存市场景气循环向下态势有望逐步结束，原因在于为避免价格的持续下滑，包括DRAM及NAND Flash的原厂陆续祭出减产策略，再加上渠道去库存化，以及补贴政策刺激产业景气逐渐复苏的状态下，预计接下来内存市场将有谷底回稳的情况。

首先在DRAM部分，因近期内存现货市场部分颗粒价格小幅回升，跌势趋缓。另外、再传三大厂将停止生产DDR4的消息，使得有机会填补市场缺口的台系供应商南亚科、华邦电受益，也促成两家内存厂当天的股价上涨。根据市场研究及调查机构TrendForce的报告指出，由于低价货源供应锐减，部分容量颗粒报价出现小幅回升。虽然，低价区域仍吸引部分买方成交，但整体现货价格仍未具备涨价动能，整体交易氛围目前偏向观望为主，但跌幅已经开始逐步收敛。

此外，根据根据日本经济新闻报道，在全球DRAM三大厂，包括三星、SK海力士、美光都将停止生产DDR4的消息带领下，使得有机会填补市场缺口的台系供应商南亚科、华邦电受益，再促成两家内存厂的股价上涨。市场研究及调查机构Omdia则是预测，DRAM价格下跌趋势持续到2025下半年，PC、服务器及移动DRAM的价格，预期持续下跌至第三季，上半年下跌约10%，下半年下跌约5%，包括DDR4、DDR5产品价格都呈当下跌。三星、SK海力士和美光可能2025年内停产DDR3与DDR4，最快可能夏季后供应短缺，订单转向台湾内存厂商。

现阶段，全球DRAM三大厂包括三星、SK海力士、美光等都规划进行一般DRAM的减产，将产能转移到当前仍持续火热的HBM产品上，以避免DRAM价格的持续滑落。对此，南亚科日前说明会就强调，2025年DRAM供给增加，但添加产能将持续提高HBM与DDR5占比为主。反观常规DRAM产品 (DDR4/LPDDR4/DDR3) 则持续进行库存去化动作。预期，AI服务器及一般服务器需求都持续正面增长，而手机企业库存也逐步回到正常水位，到2025年上半年有机会改善供需平衡。至于，消费型电子终端产品则因为区域经济有机会受政策性刺激方案而改善，消费型需求有望自2025年第二季开始摆脱疲弱转好复苏。

而在NAND Flash方面，TrendForce调查显示，2025年第一季NAND Flash市场持续面临供过于求的挑战，导致价格持续下滑，供应商面临亏损困境。TrendForce认为，NAND Flash市场供需结构将有望在下半年显著改善，包含原厂减产、智能手机库存去化、AI及DeepSeek效应等因素将推升NAND Flash需求，缓解供过于求的局面，预期下半年也将迎接价格回升。

TrendForce强调，自2023年起各家NAND Flash原厂已深刻体认到供给过剩对产业造成的严重冲击，特别是NAND Flash需求年增率自30%大幅下修至10-15%，唯有供应商积极调整生产策略，方能避免价格下行周期持续扩大。因此，2025年初，各NAND Flash原厂均采取更为坚决的减产措施，缩减全年投产规模，期待有效降低供应位元增长率，此举有助于快速减轻市场供需失衡的压力，为价格反弹铺定基础。

此外，自2024年第四季起，中国政府持续推出的以旧换新补贴政策有效的刺激智能手机销量，加速NAND Flash库存去化速度。随着市场价格跌势放缓，智能手机品牌厂有机会在2025年第二季扩大创建低价库存，带动需求动能。

(首图来源：Pixabay)