美国功率半导体创业公司iDEAL Semiconductor宣布，其超高效率SuperQ™ 硅功率组件已正式在Polar Semiconductor投产，为美国本土供应链注入新动能。

SuperQ是硅MOSFET架构的重大突破，首次采用专利不对称RESURF结构，这种设计能让MOSFET在高电压下均匀分散电场，避免能量集中造成损耗，因此能在保持高耐压的同时，大幅降低导通电阻与切换损耗。

根据官方新闻稿，导通电阻相较传统硅降低最高2.7倍，切换损耗减少2.1倍。目前，首批150V与200V产品已进入量产，后续将扩展至300V与400V应用。Polar也正扩建明尼苏达州的200mm芯片厂，以支持美国本土需求。

功率半导体是支撑电动汽车马达、AI数据中心服务器、再生能源电网的关键组件，因具备承受高电压与大电流的特性，能有效控制与转换电能。然而，全球市场长期由欧洲（Infineon、STMicroelectronics）与日本（ROHM、富士电机）等厂商主导，美国在制造端相对薄弱，产能有限。

随着AI数据中心与电动汽车持续推升用电需求，美国能源部（EIA）预估2030年数据中心耗电量将占全美发电总量的10%。因此，更高效的功率半导体能直接降低能耗与散热成本。同时，这项合作也契合川普政府推动的相关政策，强化美国本土供应链韧性，并降低对欧亚市场的依赖。

（首图来源：shutterstock）