SK海力士HBM4预计采用第六代1c制程技术DRAM 韩国内存大厂SK海力士在2024年度IEEE IMW国际存储研讨会上,不仅分享了HBM4E内存开发周期将缩短到一年的预期,也介绍了该内存的更多细节。其中,SK海力士技术人员Kim Kwi Wook表示...
SK海力士加速HBM4E研发拼2026量产,比原定早一年 SK海力士(SK hynix)最新一代内存产品HBM4E酝酿中,2026年有望量产,比原先预估的进程提早约一年。韩媒《The Elec》报道,在生成式AI商机推动下,AI服务器需求爆发,HBM成为抢手...
芯片制造迈入“零度以下”:SK海力士拟在 -70°C生产3D NAND SK海力士正在测试东京威力科创(TEL)最新的低温蚀刻工具,可在 -70°C工作,以实现400层以上新型3D NAND。消息人士透露,SK海力士已将测试芯片送至TEL实验室测试,而不是装在自家芯片厂。...
SK hynix AI芯片需求庞大 明年产能已经接近全部售罄 AI芯片近来相当热卖,韩国SK hynix最近就表示,将于第三季开始量产下代HBM芯片,而明年AI芯片所需的产能已经差不多全部有订单。SK hynix是韩国大型芯片生产商,其下一代HBM芯片推出后,预...
为追上三星,SK海力士年底量产1c DRAM内存 韩国内存大厂SK海力士加速第六代10纳米级 (1c) DRAM内存量产,预定年底完成,缩小与DRAM市场领导者三星电子的差距。韩国媒体ETnews报道,市场人士表示,SK海力士第四季开发代号“Spic...
HBM超势头猛!SK海力士:今年全卖光、明年HBM产能基本售罄 SK海力士今(2日)首席执行官郭鲁正指出,目前公司HBM产能今年已经全部售罄,明年也基本售罄。从技术看,SK海力士预计今年5月提供世界最高性能的12层堆栈HBM3E产品的样品,并准备第三季开始量产。S...
SK海力士宣布清州M15X为DRAM生产基地,2025年11月完工量产 韩国内存大厂SK海力士日宣布,为应对用于AI的半导体需求剧增,决定扩展AI基础设施的核心产品,即HBM等新一代DRAM的生产能力。因此,公司通过董事会决议,将建设在韩国忠清北道清州市的M15X产线,作...
台积电拿下SK海力士HBM4先进制程与封装大单,携手合作联盟成形 韩国内存大厂SK海力士19日宣布,公司就下一代HBM产品生产和加强融合HBM与逻辑层的先进封装技术,将与台积电公司密切合作,双方近期签署了谅解备忘录(MOU)。公司计划与台积电合作开发预计在2026年...
AI加持,SK海力士运营猛、Q1获利挑战2兆韩元 韩国半导体二哥SK海力士(SK hynix)即将揭晓最新财报,受益人工智能(AI)热潮席卷,带动内存转向多头行情,分析师看好第一季获利表现,营业利润有望挑战2兆韩元水准,扭转去年同期亏损的局面。韩媒《...
SK海力士美国厂2028年投产,CEO称需数百名工程师 韩国内存芯片厂商SK海力士(SK hynix Inc.)4月3日宣布将斥资38.7亿美元在美国印第安那州West Lafayette兴建次世代高带宽内存(HBM)先进封装制造和研发设施。这项美国首见的...