韩国媒体报道，在这波内存市场的景气繁荣中，三星电子与SK海力士在投资策略上出现了显著差异。其中，SK海力士以HBM为中心的战略，但在当前标准型DRAM获利能力更佳的情况下，是否能在中长期获利能力方面取得最佳成果，正受到市场的考验。

根据朝鲜日报的报道，标准型DRAM的市场存在感及其对获利性的贡献正在显著提升。根据市场研究机构TrendForce的数据显示，近期DDR5 16Gb的价格已上涨至10美元区间中段，服务器用DDR5模块的价格也随之攀升。对此，市场分析指出，若标准型DRAM每GB价格能上涨至12至13美元水准，将使它与HBM4预估单价在每GB约15美元上下之间的差距大幅缩小。

从获利角度来看，标准型DRAM的重要性日益增加。外资瑞银近期发布报告预测，鉴于HBM制造成本偏高，在2025年至2026年间，标准型DRAM的销售毛利率可能暂时超越HBM。这项分析认为，由于产能被集中用于HBM的扩建，传统DRAM的供应出现短缺，导致DDR系列产品的价格协商能力因而增强。

报道指出，韩国市场也抱持类似的观点。因为标准型DRAM价格的上涨，极可能使2026年DDR5的获利超越HBM3E，造成获利结构的逆转。尤其，在服务器需求保持稳健之际，用于智能手机、笔记本和汽车等领域的通用内存短缺现象正在加剧，因此标准型DRAM将成为决定2026年半导体企业业绩表现的关键因素。甚至有分析提出，部分标准型DRAM产品的营业利润率可能达到70%左右的高水准。

而尽管HBM价格高昂，但有观点指出其仍面临结构性的获利能力限制。这是因为HBM的基础芯片（base die）需应用芯片代工（foundry）制程，并经过高难度的堆栈与封装工序，带来较高的原物料成本负担和良率风险。与此形成对比的是，标准型DRAM的制程稳定性较高，价格上涨能直接且有效地反映为获利。

在策略布局方面，三星电子采取了产品组合策略，在投资HBM4的同时，灵活地将产能分配给GDDR7、LPDDR5X等标准及移动DRAM产品。市场评估认为，尽管HBM是具有重大战略意义的产品，但内存企业的中短期业绩最终仍将取决于标准型DRAM与HBM之间的产品组合配置。

相较之下，SK海力士的策略重点则更为明确，坚持将新产能投资的核心置于HBM之上。根据外电与业界数据，尽管SK海力士内部曾评估标准型DRAM供应短缺局面可能会持续至2028年，但公司已确立将未来引进的EUV设备产能，将优先分配给HBM及高端封装制程的基本方针，这代表被视为SK海力士重视在AI内存领域的技术领先地位，以及锁定战略客户效应的选择。

报道强调，获利结构的潜在变化情况下，已经被反映在主要半导体企业的业绩预测中。市场普遍认为，在价格上涨的趋势下，标稕型DRAM营收比重相对较高的三星电子，将能够获得更大的实质业绩杠杆效果。例如，市场预估三星电子2026年的营业利润约为82兆韩元，SK海力士约为74兆韩元。甚至部分市场分析师更将三星电子的营业利润上限预估上调至约100兆韩元，SK海力士则上调至约90兆韩元的水准。

半导体相关人士指出，虽然HBM是确保AI时代技术领导地位的必备产品，但企业的短期及中期业绩表现，仍会受到标准型DRAM与NAND价格的显著影响。因此，SK海力士专注于HBM的核心战略，其能否在未来有效地转化为实际的获利，将成为市场评估的关键。整体而言，内存企业的中短期实绩表现，最终将由HBM与标准型DRAM之间的产品组合策略来决定。

(首图来源：Pixabay)