ZDNet Korea报道，SK海力士修改HBM4生产计划，原计划2026年2月量产HBM4，并第二季末扩大产量，以配合GPU大厂英伟达 (NVIDIA) 完成HBM4品质验证时间点，达快速扩产。修正后HBM4实际量产起始时间延至2026年3-4月，扩大生产时间点延至第三季。HBM4量产所需材料和零部件供应速度也放缓。
报引导用消息人士说法，SK海力士原定2026上半年逐步提升HBM4产能，第二季末提高整体HBM比重。但现决定至少2026上半年，前代HBM3E生产比重仍维持最高。
调整进程原因，被认为与英伟达策略调整和市场需求变化密切相关。消息人士透露，SK海力士与英伟达讨论2026年HBM供货时，发现HBM3E采购量大幅增加，反映市场几个关键：
- Rubin芯片可能延后发布：HBM4是为英伟达预计在2026年推出的新时代AI芯片Rubin所准备的。业界普遍担忧，Rubin芯片量产时间可能延期。
- HBM3E需求强劲：搭载HBM3E的Blackwell需求依然强劲。为满足当前市场对HBM3E的稳健需求，SK海力士选择优先确保HBM3E供应。
第六代高带宽内存HBM4有重大进步：
- I/O数量倍增HBM4的输入/输出（I/O）端口数量扩大至2,048个，这是前一代产品的两倍，意味着数据传输信道更加宽广。
- 制程转向芯片代工：另一个关键特性是，用于控制HBM的逻辑晶粒将不再采用传统的DRAM制程，而是改用台积电的芯片代工制程来进行生产。
SK海力士之前为了快速上线HBM4，大量试产样品，据称应对英伟达要求，提供约2万至3万芯片测试品质。
英伟达Rubin芯片量产时间可能延期消息已扩散，不仅是因Rubin芯片追求性能提升导致HBM4等技术难度变高，另台积电2.5D封装CoWoS也面临产能瓶颈。
SK海力士回应，虽然无法确认经营策略相关细节，但计划根据市场需求，采取灵活应对措施。SK海力士面对瞬息万变的AI芯片市场时，显示采取弹性供应策略的决心。
(首图来源：SK海力士)
