全新SK海力士DDR5内存芯片近日现身网络，据称代号为“X021”，并带有新的“AKBD”零件编码。据外媒WCCFtech报道，该芯片首次出现在Facebook公开社团，似乎意味着即将到来。
该社团贴文由十铨科技的Kevin Wu分享，而DDR5芯片上还印有“X021”与“AKBD”等标记。 根据硬件爆料者 @unikoshardware的说法，“X021”标示意味是第二代3Gb A-Die芯片，将接替目前用于早期DDR5模块的3Gb M-Die。
目前SK海力士尚未正式公布这款第二代3Gb DDR5 A-Die，但根据命名惯例，过去像是EB、GB、HB等代码分别对应4,800、5,600与6,400MT/s的JEDEC标准频率。因此，新代号“KB”可能延续这个规则，并对应至7,200MT/s的原生速度。
而Facebook社团交流，Kevin也回应这颗是7,200MT/s，不是5,600或 6,400。
这项新一代内存规格也与英特尔的未来平台路线图相呼应。据规划，Arrow Lake Refresh与Panther Lake处理器预期将支持原生DDR5-7200，这较Raptor Lake的DDR5-5600与Arrow Lake的DDR5-6400又提升一个文件次，意味新的A-Die芯片将成为下一代高频DDR5内存模块的基础，专为新一代英特尔处理器打造。
但也有用户指出，照片中所示模块可能影响高频稳定性，但目前应该算是SK海力士的早期样品。报道认为，若要充分发挥最新A-Die“AKBD”芯片的潜力，内存模块厂商势必要搭配10层或12层PCB设计，才能真正发挥其高频性能。
（首图来源：shutterstock）
