日月光半导体宣布推出具备硅通孔 (TSV) 的扇出型基板上芯片桥接技术 (FOCoS-Bridge)，推动人工智能 (AI) 技术发展，并加速AI对全球生活的深远影响。日月光FOCoS-Bridge利用TSV提供更短的传输路径，实现更高的I/O密度与更好的散热性能，满足日益增长的带宽需求。 TSV的集成扩展了日月光VIPack FOCoS-Bridge的技术能力，可在AI和高性能计算 (HPC) 应用需求空前高涨的时候提供关键的能源效率。
日月光半导体表示，小芯片 (Chiplet) 和高带宽内存 (HBM) 集成将需要更高的互联密度，以实现更高速的平行数据连接并保持信号完整性。高密度互联是芯片集成的关键技术。随着AI和HPC电力传输需求变得越来越复杂，迫切需要具备TSV的先进桥接芯片。VIPack FOCoS-Bridge平台可嵌入被动和主动芯片，用于提高电源完整性并提供直接访问以增进性能。
日月光执行副总Yin Chang表示，从智能制造系统、自动驾驶汽车，到下一代零售基础设施和精准医疗诊断，AI日渐融入各种应用领域，推动运算需求和能源效率需求呈指数级增长。我们推出具备TSV的FOCoS-Bridge，彰显日月光集成解决方案支持人工智能生态系统的承诺。这项创添加强了我们的VIPack产品组合，并针对可持续的高性能计算架构，提供了一个优化可扩展的高密度封装平台。
VIPack平台的持续扩展反映了日月光的策略愿景—为可持续的高性能计算提供全面、可扩展的生态系统，满足新兴AI工作负载的急剧需求。日月光具备TSV的FOCoS-Bridge可以通过用于高功率和高带宽系统的异质集成，来满足下一代AI和HPC性能需求。目前已经实现由两个相同的扇出模块组成的85mm x 85mm测试载体 (Test Vehicle) —每个模块以四个TSV桥接芯片以及10个集成式被动组件芯片，横向互联一个ASIC芯片和四个HBM3芯片。
结合传统的横向信号连接，TSV桥接芯片为电力传输提供更短的垂直路径。TSV和被动组件皆嵌入在重布线层 (RDL)，并以5µm线宽/线距的三层RDL互联。与FOCoS-Bridge相比，FOCoS-Bridge TSV的电阻和电感分别大幅降低了72%和50%。
日月光研发处长李德章表示，HPC和AI日益增长的应用加速了高运算性能需求，日月光FOCoS-Bridge可实现SoC和Chiplets与高带宽内存的无缝集成。通过采用TSV，FOCoS-Bridge提高了运算和能源效率，并将我们的先进封装技术组合提升到一个新的水准。
FOCoS-Bridge技术已经证明提供更高带宽和更快数据传输速率的能力，以满足AI和HPC应用。利用高度集成的扇出结构优势，FOCoS-Bridge突破传统电性互联的局限，实现处理器、加速器和内存模块之间的高速、低延迟、节能的数据通信。除了可以在扇出型封装中嵌入被动和主动芯片，FOCoS-Bridge还提供了集成去耦合电容器的选项，用于优化电源传输，以及主动芯片用于特定功能（如内存、I/O等）之间的互联。
日月光工程和技术推广处长Charles Lee表示，日月光长期处于封装产业前沿，是高功率AI和HPC应用的先进封装领导厂商。我们的优势在于我们有能力提供创新技术，满足快速发展的市场中客户不断变化的需求。
(首图来源：shutterstock)
