
在AI应用加速普及、资讯流量爆炸性增长的时代,半导体内存的重要性正迅速提升。韩国内存大厂SK海力士(SK hynix)首席执行官Kwak Noh-Jung于11月3日在首尔举行的“SK AI Summit 2025”峰会上,发布了公司“全线AI内存创造者”(Full Stack AI Memory Creator)。的新愿景,以在迎接下一个AI时代之前,SK海力士能深化其角色。
Kwak Noh-Jung指出,尽管AI的采用正在加速,导致资讯流量爆炸性增长,但支持这些增长的硬件技术,尤其是内存性能,未能与处理器的进步保持同步,形成了所谓的“内存高墙”(Memory Wall)的障碍。为了解决这一难题,半导体内存不再只是一个普通组件,而是正在演变成AI产业中的核心价值产品。

对此,SK海力士迄今为止一直扮演着“全线内存供应商”(Full Stack Memory Provider)的角色,专注于及时提供符合客户需求的产品。然而,随着内存重要性的增加,公司认为单纯的“供应商”角色已不足以满足市场需求。因此,新的目标是成为“全线AI内存创造者”,代表着SK海力士将作为共同架构师、合作伙伴和生态贡献者(co-architect, partner, and eco-contributor),在AI计算领域超越客户的期望,通过在生态系统中积极合作,共同解决客户面临的挑战。
为了实践新愿景,SK海力士Kwak Noh-Jung也揭示了其产品阵容,包括定制化HBM(Custom HBM)、AI DRAM(AI-D)和AI NAND(AI-N)。这样的布局将取代传统内存解决方案多半以计算为中心的情况,改以朝向多样化和扩展内存功能的方向发展,目标是完成更高效的计算资源使用,并从结构上解决AI推论瓶颈。
在定制化HBM (Custom HBM),SK海力士强调,AI市场正在从商品化扩展到推论效率和优化。因此,HBM也从传统产品演变为定制化产品。定制化HBM是将GPU和ASIC的特定功能集成到HBM基座上的产品,以反映客户需求。这项技术能够最大化GPU和ASIC的性能,同时通过HBM减少数据传输功耗,进而显著提高系统效率。

应对市场需求,SK海力士也针对AI DRAM (AI-D)进一步的细分,准备提供最适合每个领域需求的内存解决方案。
1. AI-D O(Optimization)的优化,这是一种低功耗、高性能的DRAM,目的在降低总体拥有成本(TCO)并提高运营效率。该解决方案包括MRDIMM(多任务秩双列内存模块,通过同时运行两个秩以增强速度)、SOCAMM(小型外形压缩附着内存模块,用于AI服务器的低功耗DRAM内存模块)以及LPDDR5R(低功耗双倍数据速率5 RAS,用于移动产品,具备可靠性、可用性、可服务性(RAS)特性的低电压DRAM)。
2. AI-D B(Breakthrough)的突破,这封面克服“内存墙”的解决方案产品。其特点是超高容量内存和灵活的内存分配。该类别包含CMM(Compute eXpress Link Memory Module,一种高效连接CPU、GPU、内存和其他组件的下一代界面)和PIM(Processing-In-Memory,一种将计算能力集成到内存中的下一代技术,用于解决AI和大数据处理中的数据移动瓶颈)。
3. AI-D E(Expansion)的扩展,目的为扩展DRAM的使用案例,不仅限于数据中心,还扩展至机器人、移动性(mobility)和工业自动化等领域。该解决方案包含HBM。

除了DRAM之外,在AI NAND (AI-N) 方面SK海力士也正在准备三种下一代存储解决方案。
1. AI-N P(Performance)提高性能,强调超高性能。该解决方案目的在有效处理大规模AI推论工作执行产生的大量数据。通过将存储与AI操作之间的瓶颈降至最低,显著提高了处理速度和能源效率。SK海力士计划设计具有新结构的NAND和控制器,并目标在2026年底前发布样品。
2. AI-N B(Bandwidth)加大带宽。通过垂直堆栈半导体晶粒来扩大带宽,作为弥补HBM容量增长限制的解决方案。其关键在于将HBM的堆栈结构与高密度且具成本效益的NAND闪存结合。
3. AI-N D(Density)发展密度。借由完成超高容量来增强成本竞争力。这是一种高密度解决方案,适用于以低功耗和低成本存储大量AI数据。SK海力士的目标是将密度从目前基于QLC的固态硬盘(SSD)的太字节(TB)级别提高到拍字节(PB)级别,并实现一种结合SSD速度和HDD成本效益的中端存储解决方案。
Kwak Noh-Jung强调,在AI时代,预计那些通过与客户和合作伙伴合作,创造更强大协同效应和卓越产品的公司将会取得成功。而作为与全球领导者合作的一部分,SK海力士不仅与NVIDIA在HBM方面进行合作,还利用NVIDIA Omniverse通过“芯片厂数字分身”(fab digital twins)来提升芯片厂生产力。公司还与OpenAI进行长期合作,供应高性能内存。此外,SK海力士正与台积电(TSMC)就下一代HBM基座晶粒(base dies)进行密切合作。

此外,在存储技术方面,公司正与Sandisk合作,共同制定HBF(高带宽闪存)的全球标准。同时,SK海力士也与NAVER Cloud合作,优化下一代AI内存和存储产品,使其适用于真实的数据中心环境。预期未来,SK海力士将继续优先考虑客户满意度,与合作伙伴共同克服限制,开创未来。
(首图来源:SK海力士提供)











