SK海力士正加速推进1c（第六代10纳米级）DRAM技术，计划将EUV曝光层数提升至第六层，再提升产品性能与良率。

目前全球三大内存制造商，皆在积极投资与研发10纳米级先进DRAM制程。三星号称已成功突破第六代（1c）DRAM的良率门槛，达到超过50%；美光（Micron）则在发布1γ（Gamma）先进制程后，今年2月已将1γ DDR5样品送交英特尔（Intel）与超微（AMD）等主要客户验证；而SK海力士则在去年宣布完成1c制程DDR5的研发，领先竞争对手进入先进制程。

SK海力士将加大EUV应用，主要因其波长仅13.5纳米，可在芯片上刻画更精细的电路图案，并减少多重曝光步骤，对提升DRAM的密度、速度与能效具有关键作用。此次将EUV层数扩展至第六层，意味着更多关键制程将采用该技术，不仅有助于提升生产良率，还能实现更精细且稳定的线路制作。相较之下，美光送样的1γ DDR5仅采用一层EUV光罩，通过减少EUV使用量以降低制造成本，与SK海力士的高层数策略形成鲜明对比。

随着1c制程与EUV技术的不断成熟，市场有望迎来容量更大、速度更快、能效更高的DDR5内存产品，不仅能满足高性能计算（HPC）、人工智能（AI）服务器及数据中心对高速内存的需求，也将推动高端PC与工作站性能升级。同时，随着这些应用对内存性能与能效要求持续攀升，DRAM制程对EUV的依赖度预计将进一步提高，制造商势必在更多关键层面导入该技术，以追求更高性能与更小尺寸，并推动EUV在先进制程中的渗透与普及。

（首图来源：科技新报）