随着AI应用需求急速攀升，全球内存半导体市场面临前所未有的供应紧张，SK海力士会长崔泰源日前在论坛表示，目前积极调整利川M15及M16芯片厂产线，预计2026年标准型DRAM产能较今年增加超过10%，而市场预估原定2026年推出次世代HBM4新品将受短缺影响进程。

韩国半导体巨头SK海力士坐达到利川市，目前在AI专用的高带宽内存（HBM）市场中占有主导地位，市场占有率达70-80%，并与英伟达（NVIDIA）等领导厂商合作紧密，最近因为内存短缺议题，备受全球AI供应链与投资人关注。

崔泰源日前参与论坛表示，市场对内存需求急剧增长，尤其是高性能AI专用内存，因此SK海力士积极调整利川M15及M16芯片厂产线，预计2026年标准型DRAM产能较今年增加超过10%，更已在2022至2027年间投入超过106兆韩元资金扩产。

针对SK海力士原本计划2026年推出次世代HBM4产品，以支撑AI芯片日益增长的内存需求，但因为内存市况面临30年来最大的缺货潮，业界估计内存短缺议题恐影响SK海力士2026年新品推出的进程。

受到AI应用需求强劲，重点产能偏向利基的HBM生产，导致标准型DRAM供应短缺现象显著，而内存价格逐步攀升，已对智能手机、家电等消费电子产品生产带来成本压力，未来或将影响消费端，分析师预估2025年底服务器用DRAM营业利润率将突破70%，明年价格仍将持续强势。

此外，三星也在积极扩张DRAM产能，双雄竞争激烈，2025年第一季SK海力士已首度超越三星掌握全球最大DRAM市场占有率，预计2026年全球DRAM供应量将迎来双位数增长，业界看好未来产能发布可缓解短缺，但供应压力短期难以消退。

（首图来源：shutterstock）