韩国内存大厂SK海力士宣布，已开发出321层2Tb的QLC NAND Flash产品，并开始量产。
SK海力士表示、NAND Flash芯片根据每个单元（Cell）可以存储的资讯量，分为SLC（Single level Cell,1位）、MLC（Multi Level Cell,2位）、TLC（Triple Level Cell,3位）、QLC（Quadruple Level Cell,4位）、PLC（Penta Level Cell,5位）等不同规格。单元的资讯存储容量越大，意味着单位面积内可存储的数据越多。
SK海力士指出，公司全球率先完成300层以上的QLC NAND Flash开发，再次突破了技术极限。该产品在现有的NAND Flash产品中拥有最高的集成度，经过全球客户公司的验证后，计划于2026年上半年正式进入AI数据中心市场。
SK海力士强调，公司为了最大极限的提高此次产品的成本竞争力，将其开发为与现有产品相比容量翻倍的2Tb产品。一般来说，NAND Flash容量越大，单元中存储的资讯越多，并且内存管理越复杂，导致数据处理速度就越慢。为此，公司通过将NAND Flash内部可独立运行的平面（Plane）架构从四平面扩展为六平面，从而提升了并行处理能力，缓解了因大容量导致的性能下降问题。
事实上，平面（Plane）是指可以在单一芯片内能够独立运行的单元和周边电路。将其从4个增加至6个，改善了数据处理性能（Data Bandwidth）之一的同时读取性能。因此，该产品不仅完成高容量，而且性能也较以往的QLC产品大幅提升。数据传输速度提高了一倍，写入性能最多提升了56%，读取性能也提升了18%。同时，数据写入能效也提高了23%以上，在需要低功耗的AI数据中心等领域也具备了更强的竞争力。
公司计划首先在计算机端固态硬盘（PC SSD）上应用321层NAND Flash，随后逐步扩展到面向数据中心的企业级固态硬盘（eSSD）和针对智能手机的嵌入式存储（UFS）产品。此外，公司也将基于堆栈32个NAND Flash的独有封装技术，达到比现有高出一倍的集成度，正式进入面向AI服务器的超高容量eSSD市场。
SK海力士NAND Flash担当副社长郑羽杓表示，此次产品开始量产，大幅强化了高容量存储产品组合，同时确保了成本竞争力。为了应对迅速增长的AI需求和数据中心市场的高性能要求，我们将作为全方位针对AI的内存供应商（Full Stack AI Memory Provider），实现更大的飞跃。
(首图来源：SK海力士提供)
