由于AI服务器对于高带宽内存（HBM）的庞大且强劲需求，内存制造商不得不将资源优先投入HBM的生产。这种资源集中导致了对标准型DRAM的排挤效应，进而造成个人计算机、笔记本、智能手机及一般服务器所需的标准型DRAM供应日益吃紧。为此，全球第二大内存制造商SK海力士（SK Hynix）正采取积极行动，全面扩大标准型DRAM的生产规模。

根据韩国超鲜日报的报道，SK海力士的目标是通过最大化芯片厂稼功率与调整产线配置，使2026年的标准型DRAM供应量相较于2025年增加超过一成。为了完成标准型DRAM的大幅增产，SK海力士正积极调整其两大主要芯片厂M15和M16的生产策略。

报道表示，M16芯片厂的稼功率将被提升至最大化的同时，针对M15芯片厂，SK海力士也正在执行一项关键的产能转换计划。具体而言，部分原本用于代工业务或生产CMOS形象传感器（CIS）的生产线，将被重新配置并转换为DRAM生产线。通过这种策略性的产能调整与扩大，SK海力士期望能够有效缓解当前标准型DRAM市场的供应紧张局势。

而尽管SK海力士目前是HBM市场的领导者，拥有高达70%至80%的市场占有率，但该公司也清楚认知到，标准型DRAM的市场规模远大于HBM。因此，在巩固其在AI内存领先地位的同时，满足标准型DRAM的庞大市场需求，成为公司战略的重心。

另外，SK海力士的积极扩产行动，也是其力争内存市场领导地位的展现。该公司的目标是在2025年达到DRAM市场市场占有率第一的目标。然而，市场竞争对手的三星也正积极应对。三星同样采取了全力扩大DRAM产能的策略。该公司正在最大化利用其P3芯片厂的产能，并计划激活P4芯片厂，以显著增加整体内存产能。

由于SK海力士与三星两大内存厂商的积极扩产，市场分析普遍预计，2026年的全球DRAM供应量将达到两位数的增长。其中，在资本支出方面，SK海力士曾于2021年做出承诺，计划在2022年至2027年期间投入高达106.2兆韩元的资金。虽然2025年的资本支出计划略有调整，但该公司对于2024年和2025年的内存相关投资承诺依然坚定，这也为其DRAM扩产提供了强大的财力支持。

总结来看，在AI与HBM引领高端市场的同时，SK海力士通过产能调整与投资扩大，显示出其不愿放弃更为广泛的通用型DRAM市场，这使得这场内存双雄的市场占有率争夺战将会持续升温。

(首图来源：科技新报摄)