开创生医应用新局,imec靠ASML EUV设备成功实现芯片级纳米孔 比利时微电子研究中心(imec)已成功展示利用ASML最先进的极紫外光(EUV)微影设备,实现芯片级规模的纳米孔制作技术。ASML传播主管形容,由于纳米孔在分子传感领域展现的巨大潜力,这是ASML设备...
imec成功于12英寸CMOS芯片上开发超颖表面,集成胶体量子点光电二极管 比利时微电子研究中心(imec)宣布,成功在其12英寸CMOS试验制程开发之超颖表面(metasurface)上集成胶体量子点光电二极管(QDPD)。这套方法将能够完成用于紧凑型微型化短波红外线(SW...
系统技术协同优化,imec减缓HBM与GPU堆栈3D架构散热瓶颈 于日前举行的2025年IEEE国际电子会议(IEDM)上,比利时微电子研究中心(imec)发布了首篇针对3D高带宽内存(HBM)与图形处理器(GPU)堆栈组件(HBM-on-GPU)的系统技术协同优化...
imec系统优化,减缓HBM与GPU堆栈3D架构散热问题 于本周举行的2025年IEEE国际电子会议(IEDM)上,比利时微电子研究中心(imec)发布了首篇针对3D高带宽内存(HBM)与图形处理器(GPU)堆栈组件(HBM-on-GPU)的系统技术协同优化...
硅光子组件新突破!imec展示110GHz超宽带C频段锗硅电致吸收调制器 比利时微电子研究中心(imec)宣布成功展示一款带宽超过110GHz的C频段锗硅(GeSi)电致吸收调制器(electro-absorption modulator,简称为EAM),该组件在imec研...
imec宣布单次曝光High NA EUV微影技术重大突破,推进2纳米以下制程发展 比利时微电子研究中心(imec)日前发布重大消息,宣布其在高数值孔径极紫外曝光(High NA EUV)单次图形化技术上取得了新的突破性里程碑,代表着High NA EUV图形化能力向A10及更先进逻...
AI应用芯片越来越能耗,imec应用新技术降低能耗冲击 在全球地缘政治与经济不确定性日益加剧之际,创新将是驱动经济繁荣的关键,而人工智能 (AI) 正是核心动力。然而,AI的加速发展导致运算需求快速增长,伴随而来的能源消耗爆炸性增加,这显然成为关键问题。而...
3D DRAM材料瓶颈突破!比利时实现120层Si/SiGe叠层 比利时imec(比利时微电子研究中心) 与根特大学(Ghent University)宣布,300毫米硅芯片上成功外衍生长120层Si/SiGe叠层结构,为推动3D DRAM的重要突破。论文发表在 《...
英商Infinitesima与imec合作,推次纳米芯片测量技术发展 英国的先进半导体测量技术公司Infinitesima宣布与比利时imec共同展开三年合作项目,针对其Metron3D线上3D芯片测量系统进行功能强化,聚焦于High-NA EUV、混合键合(Hybri...
imec、根特大学发布全集成单芯片微波光子系统,实现光与微波信号集成 根特大学(Ghent University)imec研究单位的光子研究小组(Photonics Research Group)与IDlab、imec联合展示一款全集成、单芯片微波光子系统,将光信号与微...